Samsung начинает массовое производство первой 128Gb встраиваемой флэш-памяти на основе стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0. К пример, производительность памяти в режиме произвольного чтения составляет 19000 IOPS, что в 2,7 раза выше по сравнению с eMMC 5.0.

Память UFS поддерживает «Очередь команд» (Command Queue), технологию, увеличивающую скорость выполнения команд SSD-накопителей через последовательный интерфейс. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS 2.0 обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.

Samsung считает, что UFS-память будет использоваться в дорогих мобильниках и планшетах, а eMMC будет устанавливаться в недорогие модели. Она вмещает в себя 128 Гб информации и полностью соответствует спецификации UFS 2.0, которая гарантирует высокую скорость передачи данных.

Samsung будет выпускать свою новую память в трех вариантах: с объемом в 128, 64 и 32 ГБ. Скорость последовательного чтения и записи также находится на уровне SSD. А скорость случайного чтения в 12 раз превышает ту, что демонстрирует типичная высокоскоростная карта памяти (1500 IOPS), что должно положительно сказаться на производительности системы в целом.

В качестве ликбеза, UFS 2.0 значительно быстрее, чем старые стандарты флеш-памяти. Гибкость в проектировании новых мобильных устройств обеспечивает выпуск новинки в формате ePoP (embedded package on package, встроенный пакет в пакете), что позволит ей занимать вдвое меньше места.

Подпишитесь на нашу еженедельную новостную рассылку!